SRAM （Static Random Access Memory）

２個の NAND 回路が下図のように接続されています。
NAND 回路は、 入力がすべて 1 になったときに 0 を出力する 論理回路 です （下図右の真理値表参照）。
これを図のように接続すると 「記憶回路」 になります。

「え、 こんなもんで記憶が？」 と思いますが、 それが、 できるんですから不思議です。


いま （図の初期状態では）、 出力 Q は 0 です。

入力 S の付近をマウスでクリックしてみて下さい。
入力 S が 0 になって、 出力 Q が 1 に変わります。
クリックを止めると S は 1 に戻りますが、 Q は 1 のままです。
一度 Q が 1 になってしまえば、 あとは何度 S をクリックしても、 Q は 1 のままです。

今度は入力 R の付近をクリックすると、 出力 Q が 0 になります。
クリックを止めると R は 1 に戻りますが、 Q は 0 のままで、 変わりません。

上図の真理値表は、上の NAND 回路の状態を 青 で、 下の NAND 回路の状態を 赤 で表しています。
なお、クリックしてから、少し遅れて回路の状態が変わるようにしてあります。
遅れ具合は で調整できます。

これは一瞬でも S を 0 にすると Q が 1 になり （1 を記憶）、 R を 0 にすると Q は 0 になる （0 を記憶） 回路です。
このような記憶回路 （メモリセル） を多数集積したものが SRAM です。

SRAM のメモリセルには、 実際には上図のように 6 個 （または 4 個） のトランジスタが使われています。
DRAM に比べて高速、低消費電力などの点で優れていますが、 トランジスタ数が多いため集積度を高くできません。

一般的に、コンピュータのメモリには DRAM が、 高速動作が必要なキャッシュメモリなどに SRAM が使用されています。

関連項目：　DRAM

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update: 2007.10.09