戻る DRAM (Dynamic Random Access Memory)



DRAM セル DRAM のメモリセルはトランジスタ 1 個とコンデンサ 1 個でできています。
コンデンサは電荷を一時的に蓄える働きがあり、 この電荷によってデータを記憶します。 電荷があれば "1"、 なければ "0" というわけです。
トランジスタはスイッチの働きをしています。 ワード線が "1" になるとトランジスタが ON になって、 コンデンサの電荷の信号がビット線に現れます。


コンデンサの放電

コンデンサに蓄えられた電荷は、 放っておくと上図左のように時間とともに漏れてなくなってしまいます。
そこで DRAM は、 電荷が完全になくならないうちに充電を繰り返すことによって記憶を保持します (上図右)。 この動作を 「リフレッシュ」 といいます。
リフレッシュの間隔は、 1 万分の 1 秒程度です。





下図は4ビット×4ビットの DRAM のメモリセルアレイです。 トランジスタは 「スイッチ」 に置き換えて描いてあります。

"1" を記憶しているメモリセルのコンデンサには色をつけてあります。 しばらくすると色が次第にうすくなり、 消えそうになるとまたもとに戻ります。 色の変化で DRAM のリフレッシュを表しています。

任意のメモリセルをクリックすると、 同じワード線に接続されているすべてのトランジスタが ON になります。
コンデンサがビット線に接続されるので、 選択されたセルのビット線から記憶されているデータを読み出します。
セルをクリックすると選択されたワード線とビット線が赤色に変わり、 記憶データとアドレスが下方に表示されます。




ボタンをクリックした後任意のセルをクリックすると、 そのセルのデータが書き換えられます。
ボタンをクリックすると、 トランジスタが OFF に戻ります。
ボタンと ボタンで、 リフレッシュの表示速度を変えることができます。



関連事項:  フリップ・フロップ  DRAM


情報処理概論 に戻る   目次 に戻る   戻る


*1 この図は左の回路で作成しました。 555 の出力を中ほどの NOR 回路の部分で微分してトランジスタを約 5μsec ON にし、 コンデンサ 473 を充電しています。 図には示していませんが、 放電時間を調整するために抵抗(10kΩ)を並列に接続してあります。

自由利用マーク
update: 2013.02.11